珠海镓未来申请氮化镓半导体功率器件及其制作方法专利，降低制作成本

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司申请一项名为“氮化镓半导体功率器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 119153322 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓半导体功率器件及其制作方法，该制作方法包括如下步骤：a、提供一衬底，在衬底上生长钝化层；b、制备欧姆金属层；c、制备介质叠层；d、形成第一栅极场板区域；f、形成栅极区域；g、制备第一栅极场板、第二栅极场板及栅极；h、制备层间介电层；i、制备源极。
本发明还提供了一种氮化镓半导体功率器件。
本发明通过在钝化层上制作介质叠层，然后根据栅极和栅极场板的位置对介质叠层进行刻蚀，以形成栅极区域及栅极场板区域，再分别在栅极区域和栅极场板区域制作栅极和栅极场板，不仅简化了制作工艺，还能降低制作成本。
本发明制得的半导体功率器件具有体积小，产品质量好等特点。
本文源自：金融界作者：情报员

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