合肥新晶集成电路申请半导体结构相关专利，能够精准控制应力层与沟道区之间水平间距

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，合肥新晶集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法、半导体结构”的专利，公开号CN 119153411 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构，涉及 半导体制造技术领域， 方法包括：提供衬底，衬 底上包括栅极结构及位 于栅极结构沿第一方向 相对两侧衬底内的第一 掺杂区；于栅极结构的 外侧壁形成覆盖部分第 掺杂区的保护侧墙将第 掺杂区热氧化处理为牺牲氧化 层；清洗去除牺牲氧化层，得到暴露出保护侧墙底面的初始凹 槽；通过调整刻蚀离子的刻蚀参数刻蚀初始凹槽暴露的衬底， 得到开口于栅侧墙正下方的基准凹槽；利用第四主族元素离子 调整基准凹槽的开口拐角处的晶向；经由基准凹槽湿法选择性 刻蚀并去除部分衬底，得到西格玛凹槽后，于西格玛凹槽内形 成顶面不低于衬底顶面的应力层，至少能够精准控制应力层与 沟道区之间水平间距。
本文源自：金融界作者：情报员

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