广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片”的专利，公开号CN 119153591 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明实施例提供的一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片，该方法首先提供一衬底；应用物理、化学或机械平坦化技术中的至少一种，对衬底的第一表面进行原子级平坦化处理，以使第一表面的粗糙度达到第一表面粗糙度范围，和/或对衬底的第二表面进行原子级平坦化处理，以使第二表面的粗糙度达到第二表面粗糙度范围；在衬底的第二表面形成光刻胶层；利用掩膜版对光刻胶层进行曝光，以将掩膜版上的图形转移至衬底的第二表面。
解决了因衬底表面粗糙，使得在图形化工艺曝光过程中，曝光光束在透过衬底时，在衬底表面发生反射、折射，从而对光刻胶进行多次曝光，从而导致刻蚀后图形化衬底的均一性降低的问题。
本文源自：金融界作者：情报员

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