中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，减少了第一金属层翘起的概率

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119153436 A，申请日期为2023年6月 。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括相对的第一面和第二面；在第一面上形成牺牲层和环绕牺牲层的第一金属层；在牺牲层和第一金属层表面形成电互连结构；在形成电互连结构之后，将第一面朝向第二晶圆对第一晶圆与第二晶圆进行键合；在第一晶圆与第二晶圆相互键合之后，自第二面刻蚀第一晶圆，在第一晶圆内形成通孔，通孔底部暴露出牺牲层表面，通孔在第一晶圆表面具有第一投影，第一金属层在第一晶圆表面具有第二投影，第一投影和第二投影至少部分重叠；去除通孔底部暴露出的牺牲层，使部分第一金属层和部分电互连结构暴露；在通孔内形成导电连接层，减少了第一金属层翘起的概率。
本文源自：金融界作者：情报员

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