深圳市智融微电子取得静电泄放保护结构及芯片专利,提高下拉能力
金融界2024年12月28日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市智融微电子有限公司取得一项名为“静电泄放保护结构及芯片”的专利,授权公告号 CN 222214177 U,申请日期为2024年4月。
专利摘要显示,本申请公开了一种静电泄放保护结构及芯片,属于集成电路技术领域。
静电泄放保护结构包括:衬底;沿第一方向形成于衬底第一侧的第一漏区、第一源区和第二漏区;第一栅极设于衬底的第一侧,第一栅极在衬底上的正投影至少部分位于第一漏区和第一源区之间,第一栅极与第一漏区和第一源区形成第一下拉管;第二栅极设于衬底第一侧,第二栅极在衬底上的正投影至少部分位于第一源区和第二漏区之间,第二栅极与第二漏区和第一源区形成泄放管;导电结构分别与第一漏区和第二栅极电气连接;第一源区用于与接地节点电气连接,第二漏区用于与泄放节点电气连接。
通过缩短走线减小下拉管和泄放管之间的走线电阻和走线间的寄生电容,提高下拉能力。
本文源自:金融界作者:情报员
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专利摘要显示,本申请公开了一种静电泄放保护结构及芯片,属于集成电路技术领域。
静电泄放保护结构包括:衬底;沿第一方向形成于衬底第一侧的第一漏区、第一源区和第二漏区;第一栅极设于衬底的第一侧,第一栅极在衬底上的正投影至少部分位于第一漏区和第一源区之间,第一栅极与第一漏区和第一源区形成第一下拉管;第二栅极设于衬底第一侧,第二栅极在衬底上的正投影至少部分位于第一源区和第二漏区之间,第二栅极与第二漏区和第一源区形成泄放管;导电结构分别与第一漏区和第二栅极电气连接;第一源区用于与接地节点电气连接,第二漏区用于与泄放节点电气连接。
通过缩短走线减小下拉管和泄放管之间的走线电阻和走线间的寄生电容,提高下拉能力。
本文源自:金融界作者:情报员
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