TCL环鑫申请一种p-GaN HEMT器件及制备方法专利，提高器件工作的稳定性和可靠性

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司申请一项名为“一种p-GaN HEMT器件及制备方法”的专利，公开号CN 119153509 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种p‑GaN HEMT器件及制备方法，衬底层；设于衬底层上的缓冲层，缓冲层的远离衬底层的一侧面设有P型掺杂区；设于缓冲层上的沟道层，沟道层与P型掺杂区接触；设于沟道层上的势垒层、源极以及漏极，源极与漏极设于势垒层的两侧；设于势垒层上的散热层；设于势垒层上和散热层上的帽层；设于散热层上的钝化层，钝化层设于源极与帽层之间以及漏极与帽层之间；设于帽层上的栅极。
本发明的有益效果是能够有效的降低异质结界面处的缺陷数量和界面热阻，提高器件沟道处2DEG的散热能力，并增强器件的机械性能，降低界面反应和缺陷对器件工作性能的影响，能够有效调制2DEG沟道处的电场，提升器件自身的热管理能力，提高器件工作的稳定性和可靠性。
本文源自：金融界作者：情报员

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